型号:

PMWD26UN,518

RoHS:无铅 / 符合
制造商:NXP Semiconductors描述:MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 阵列
PMWD26UN,518 PDF
产品目录绘图 PMWD Series 8-TSSOP
标准包装 1
系列 TrenchMOS™
FET 型 2 个 N 沟道(双)
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 7.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 30 毫欧 @ 3.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 700mV @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 23.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1366pF @ 16V
功率 - 最大 3.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装 8-TSSOP
包装 剪切带 (CT)
其它名称 568-2363-1
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